联华电子7月20日宣布，用于AMD旗舰级绘图卡Radeon™ R9 Fury X的联华电子硅穿孔 (TSV) 技术已经进入量产阶段，此产品属于AMD近期上市的Radeon™ R 300 绘图卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU采用了联华电子TSV制程以及晶粒堆栈技术，在硅中介层上融合链接AMD提供的HBM DRAM高带宽内存及GPU，使其GPU能提供4096位的超强内存带宽，及远超出现今GDDR5业界标准达4倍的每瓦性能表现。
AMD提供的GPU与HBM堆栈晶粒，皆置放于联华电子TSV制程的中介层上，通过CMOS线路重布层（redistributionlayer）与先进的微凸块（micro-bumping）技术，这些芯片之间可于中介层彼此连通，因此得以实现AMD Radeon™ R9 Fury X绝佳的效能与位面积。AMD的TSV硅中介层技术系于联华电子位于新加坡的12吋特殊技术晶圆厂Fab12i制造生产。
