股票代码：300236.SZ
EN
EN
高选择比氮化硅蚀刻液
高选择比氮化硅
产品应用
  • • 3D NAND Flash氮化硅蚀刻工艺
  • • 12吋工艺
  • • 配套设备：TEL和DNS
产品特性
  • • 具有非常优异的刻蚀选择性，其选择比超过2000:1，能够精确实现不同材料之间的高精度刻蚀，有效避免对非目标区域的损伤，确保精确控制。
  • • 展现出卓越的Poly、OX保护性能，防止表面损伤。
  • • 金属离子污染水平极低，显著降低了刻蚀过程中引入杂质的风险，满足高端半导体制造的严格要求。