光刻胶
光刻胶是光刻工艺的核心感光材料，通过涂布、曝光与显影，将掩模版上的电路设计精准定义在晶圆表面，形成可供后续蚀刻或离子植入的图形屏障。
- • 逻辑2Xnm，存储1X-2Xnm技术节点
- • 8/12吋工艺
- • 配套设备：ASML-1900Gi
- • 极低的线宽粗糙度LWR，能够有效确保线路边缘的平滑与精确，从而提升整体产品的可靠性与性能稳定性。
- • 良好的工艺窗口设计，提供了广泛的制程参数容差范围，使得生产过程更加灵活且易于控制，显著提高了制造效率与产品良率。
- • 免顶部抗水涂层光刻胶通过在胶表面自形成疏水阻隔层，降低浸润水的铺展与渗入、抑制关键组分溶出并减少水印等缺陷，从而在不使用 topcoat 的条件下实现浸没式工艺的 CD 与缺陷稳定性。
- • 极佳分辨率，在更小 half‑pitch 条件下仍可获得连续且无桥连/断线的图形，同时保持较低 LER/LWR，并在目标 CD 附近呈现更大的工艺窗口（更高 EL 与更大 DOF）。
- • 工艺窗口极佳，操作范围宽广且容错性强，能够适应多种复杂条件下的生产需求，确保制程稳定高效。
- • 孔圆度优异，几何形状规整且偏差极小，显著提升了产品的精度与一致性，满足高标准的应用要求。
- • 分辨率高，细节表现力出众，能够清晰呈现微细结构与图案，适用于对图像质量有严苛要求的场景。
- • PAD工艺与高能离子注入
- • IC 3DNAND台阶层多次干法刻蚀
- • 8/12吋工艺
- • 配套设备：NIKON-205C
- • 形貌笔直，具有优异的垂直度与结构稳定性，在高温环境下依然能够保持良好的物理形态，展现出卓越的耐热性能和持久的结构完整性。
- • 具有良好的工艺窗口，操作宽容度高，适应性强，能够在较宽泛的工艺参数范围内保持稳定的加工性能，有利于提升生产效率和产品一致性。
- • 具备良好的分辨率，能够清晰、精确地呈现微小细节，边缘锐利，对比度高，适用于高精度图形和微细结构的制作与复制需求。
- • 抗开裂与分层性能高，材料结合强度优异，能够有效抵抗内部及外部应力导致的裂纹扩展和层间分离，显著提升产品的可靠性和使用寿命。
- • PAD工艺与高能离子注入
- • 6/8/12吋工艺
- • 配套设备：NIKON-i14
- • 画面分辨率保持高度稳定，确保图像输出质量始终如一，不会出现任何波动或偏差。
- • 图形边缘处理得极为清晰锐利，轮廓分明，细节表现力强，视觉效果出色。
- • 线宽控制精准且一致，线条粗细均匀，稳定性极佳，完全符合高精度输出的要求。
