研磨液
化学机械抛光（CMP）是使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。集成电路元件普遍采用多层立体布线，前道制造 工艺环节要进行多次循环。在此过程中，CMP是实现晶圆表面平坦化的关键工艺，推进制程技术节点升级的重要环节。
- • 逻辑芯片：28nm及以下工艺
- • 存储芯片：1X-2Xnm技术节点
- • 特色工艺：适用各技术节点
- • 8/12吋工艺
- • Poly-Si去除速率可调控，覆盖从低研磨速率到高研磨速率的广泛工艺需求，支持定制化开发。
- • 对Ox&SiN高选择比，具备优良的Auto-Stop能力，Dishing控制好。
- • 工艺窗口宽，在较宽温度范围内性能稳定，可根据不同应用场景调节稀释比例，灵活匹配工艺要求。
- • 表面颗粒残留极少
- • 表面无划伤
- • 产品片良好的凹陷性能
- • 逻辑芯片/存储芯片：适用各技术节点
- • 8/12吋工艺
- • 高稀释比设计，具有明显的经济性优势，有助于优化库存管理。
- • 适用范围广，性能与主流竞品全面对标，可根据不同工艺进行定制化调整。
- • 工艺窗口良好，宽工艺窗口能减少因参数波动导致良率降低，性能稳定可靠。
- • 提供宽泛且线性的选择比调节能力，支持从等比例到高选择比的定制化需求，适用于隔离槽、接触孔及金属栅极等多种工艺。
- • 可实现极致的SiN:Oxide选择比，并同时控制SiN Dishing。
- • 具有稳定的去除速率和选择比，出色的片内均匀性与片间均匀性，能实现高水准的表面平整度。
- • 存储芯片：W CMP（12吋）
- • 逻辑芯片：W 8吋/12吋CMP
- • 具备可调节的钨 - 氧化层选择比，碟形坑控制性能优异。
- • 均匀性与平坦化能力良好，终点检测（EPD）精准。
- • 缺陷控制表现出色，表面粗糙度可调节；配方经优化后，产品性能进一步提升。
- • OX/W Rate可调
- • 高研磨速率表面良好的roughness
- • 研磨表面缺陷少，易水洗
- • 8/12吋工艺，介电层材料（SiO2)去除及平坦化
- • 晶圆减薄工艺
- • Ceria Base Slurry
- • Oxide去除速率高, 平坦化能力突出。
- • 高稀释比设计，具备良好的经济性与库存管理优势。
- • 工艺可调范围宽，适应不同集成结构与设备环境的要求。
- • 表面颗粒残留极少
- • 表面无划伤
- • 超高研磨速率
- • 8/12吋工艺，介电层材料（SiO₂）去除及平坦化
- • 晶圆减薄工艺
- • Silica Base Slurry
- • 提供行业领先的材料去除速率，显著提升生产效率，降低生产成本；兼具优异的全局与局部平坦化能力，完美满足先进制程对纳米级平整度的苛刻要求。
- • 工艺窗口宽，对压力、转速、流量等参数变化不敏感，确保量产中的高良率与稳定性。
- • 产品线覆盖从酸性到碱性的不同体系，精确匹配不同的底层材料（如STI、ILD、PMD）和设备环境；可针对客户具体工艺流程（如铜、钨、多晶硅的抛光后清洗兼容性）进行定制化优化。
- • 配方设计秉持绿色化学理念，致力于减少有害化学品使用，降低废水处理负担。
- • 表面颗粒残留极少
- • 表面无划伤
- • 产品片良好的凹陷性能
